2008年intel 45nm处理器正式进入笔记本电脑平台，目前主流的Merom双核处理器逐渐会步入历史。随着Montevina平台正式发布，Penryn处理器更将和Montevina平台组成下一代的迅驰（第五代迅驰）。
测试目录一览
45nm处理器优势和介绍
T8300处理器全面PK T7500
1、wPrime软件测试－－T8300领先T7500近60％
2、Sisoft Sandra软件测试－T8300处理器全面胜出
3、处理器整机性能对比
4、处理器功耗对比测试－－续航时间更长，散热更佳
T8300处理器全面PK T7700
1、PCmark05和3Dmark05测试
2、
图形渲染测试
3、
视频编码测试：效能提升显著
4、游戏效能测试：略有提升
5、温度及续航时间测试：有一定进步45nm处理器优势和介绍
45nm工艺比目前的65nm工艺进步很多，最为明显的优势就是体积更小、整合晶体数量更多、功耗更低，应用在笔记本上意义很大。具体表现在以下五个方面：1.相比65nm工艺，新45nm工艺中晶体管密度提升2倍以上，从而使得芯片体积更小，或者说单位面积可以容纳更多的晶体管。
2.相比65nm工艺，新45nm工艺中晶体管切换功率将降低30%以上。
3.相比65nm工艺，新45nm工艺中晶体管切换速度提升20%以上。
4.相比65nm工艺，新45nm工艺中源级－漏级漏电功率降低了5倍以上
5.相比65nm工艺，新45nm工艺中栅极氧化物漏电功率降低10倍以上
45纳米新型介质（右）与传统材料（左）的比较
在过往四十余年的时间中，业内均普遍采用二氧化硅做为制造晶体管栅介质的材料。而在65纳米制程工艺下，英特尔公司已经将晶体管二氧化硅栅介质的厚度压缩至1.2纳米，仅与五层原子的厚度相当，基本上达到了这种传统材料的极限。此时不但使得晶体管在效能增益以及制程提升等方面遭遇瓶颈，过薄的晶体管二氧化硅栅介质亦使得其阻隔上层栅极电流泄漏的能力逐渐降低，导致漏电率大幅攀升。 英特尔
45纳米Penryn家族处理器采用金属栅极来替代传统的多晶硅栅极，这样的目的就是可以避免耗尽导电信号区域的出现，也就是说其这样的设计可以真正让超薄的栅极栅介质层更薄，从而使得最终的效率更高，且漏电电流更小。英特尔的这种HK+MG（High-K＋Metal Gate）可以使得不用更改太多的传统材料就可以实现更高的晶体管效率。在采用这种技术后，可以改善集成电路功耗，同时降低芯片的设计难度，并且可以大幅度提升晶体管切换速度。也让晶体管技术可以向更小的45nm、32nm制程发展。
